Оперативная память Samsung [M378A5244CB0-CRC] 4 ГБ

Оперативная память Samsung [M378A5244CB0-CRC] 4 ГБ успешно сочетает в себе низкое энергопотребление, высокую плотность и повышенную пропускную способность. Представленная модель станет необходимым комплектующим элементом, требующимся вам при сборке офисной или домашней компьютерной машины. Устройство совместимо с системами, поддерживающими тип памяти DDR4. Данная плашка оперативной памяти изготовлена в соответствии с форм-фактором DIMM. Комплект поставки состоит из одного модуля оперативной памяти, обладающего объемом 4 ГБ. Samsung [M378A5244CB0-CRC] отличает повышенная тактовая частота, достигающая 2400 МГц. Предусматривается поддержка работы на частотах 1600 МГц, 1866 МГц, 2133 МГц и 2400 МГц. Пропускная способность этой модели не разочарует требовательного пользователя и соответствует PC19200. Тайминги у представленной плашки ОЗУ следующие: 17-17-17. Следует отметить, что данный модуль ОЗУ не имеет низкопрофильной конструкции, его высота равняется 21.25 мм. Несмотря на высокие технические характеристики, модель имеет низкое напряжение питания, не превышающее 1.2 В.

• Заводские данные
• Гарантия1 мес.
• Страна-производительКитай
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельSamsung
• Код производителя[M378A5244CB0-CRC]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR4
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
• Объем одного модуля памяти4 ГБ
• Количество модулей в комплекте1
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Быстродействие
• Тактовая частота2400 МГц
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)17
• RAS to CAS Delay (tRCD)17
• Row Precharge Delay (tRP)17
• Activate to Precharge Delay (tRAS)40
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота31.25 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.2 В