Оперативная память Hynix [H5TQ4G83CFR-H9C] 8 ГБ

Оперативная память Hynix [H5TQ4G83CFR H9C] имеет объем, составляющий 8 ГБ. Модуль памяти соответствует по-прежнему в немалой степени распространенному типу DDR3. Устройство будет полезно при комплектации системных блоков универсального назначения, которые подходят как для решения рабочих задач серьезного уровня, так и для игр, требующих значительной производительности системы. Оперативная память Hynix [H5TQ4G83CFR H9C] использует для работы тактовую частоту 1333 МГц. Модуль памяти может также функционировать на частотах 800 и 1066 МГц. Пропускная способность памяти составляет 10600 МБ/с. Модель соответствует таймингам 9-9-9. Для функционирования памяти Hynix [H5TQ4G83CFR H9C] используется напряжение, составляющее 1.5 В. Высота модуля памяти – 31.25 мм. При производстве устройства была использована двусторонняя установка чипов памяти. С одной из сторон модуля памяти размещена наклейка, на которой есть информация о кратких технических характеристиках памяти. Внешний вид модели привычен взгляду, благодаря текстолиту зеленого цвета.

• Заводские данные
• Гарантия1 мес.
• Страна-производительТайвань (китай)
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельHynix
• Код производителя[H5TQ4G83CFR-H9C]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR3
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта8 ГБ
• Объем одного модуля памяти8 ГБ
• Количество модулей в комплекте1
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Быстродействие
• Тактовая частота1333 МГц
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)9
• RAS to CAS Delay (tRCD)9
• Row Precharge Delay (tRP)9
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота31.25 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.5 В