Оперативная память Hynix [H5AN2G8NAFR-VKC/4] 4 ГБ

Доставка этого товара 10-15 РАБОЧИХ ДНЕЙ, товар находится на складе в РФ
Бренд: Hynix Артикул: 137979
0
-

{{basketAddCnt}} шт.

+
Товара пока нет в наличии у поставщика
Внимание: Заказы которые сразу оплачены картой - имеют высший приоритет! Доставка курьером:
В радиусе 5 км. от офиса (пр-кт. Мира, 13) - 300 руб.
Отдаленные районы и города - 500 руб.
Внимание: Магазин имеет право отказать в доставке во временно обстрелеваемый опасный район города

Характеристики и описание

Оперативная память Hynix порадует вас сочетанием стабильности работы и быстродействия. Модуль, соответствующий типу DDR4, подходит для работы в составе универсальных офисных и домашних компьютеров. Объем устройства равен 4 ГБ. Тактовая частота оперативной памяти Hynix равна 2666 МГц. Пропускная способность – 21300 МБ/с. Тайминги модуля – 19-19-19-32. Для питания памяти используется стандартное для DDR4 напряжение, равное 1.2 В. Устройство отличается минимальным уровнем тепловыделения. Радиатор конструкцией модуля не предусмотрен.

  • Заводские данные
  • Гарантия18 мес.
  • Страна-производительТайвань (китай)
  • Общие параметры
  • Типоперативная память
  • МодельHynix
  • Код производителя[H5AN2G8NAFR-VKC/4]
  • Объем и состав комплекта
  • Тип памятиDDR4
  • Форм-фактор памятиDIMM
  • Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
  • Объем одного модуля памяти4 ГБ
  • Количество модулей в комплекте1
  • Регистровая памятьнет
  • ECC-памятьнет
  • Быстродействие
  • Тактовая частота2" МГц
  • Профили Intel XMPнет
  • Тайминги
  • CAS Latency (CL)19
  • RAS to CAS Delay (tRCD)19
  • Row Precharge Delay (tRP)19
  • Конструкция
  • Наличие радиаторанет
  • Подсветка элементов платынет
  • Высота31.25 мм
  • Низкопрофильная (Low Profile)нет
  • Дополнительно
  • Напряжение питания1.2 В

Еще из этой категории